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芯片工藝彎道超車 三星宣布2027年量產1.4nm工藝

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芯片工藝彎道超車 三星宣布2027年量產1.4nm工藝

對于半導體行業的金科玉律,有廠商一直在喊摩爾定律已死,也有廠商不斷給它續命,期望工藝繼續更新下去——三星今年6月份搶先量產了3nm工藝,2025年還要量產2nm工藝,現在他們也宣布1.4nm工藝2027年量產了。

三星主管晶圓代工業務的社長崔時榮表示,將基于下一代晶體管結構全環繞柵極(GAA)技術不斷創新工藝,計劃2025年實現2nm芯片生產,2027年實現1.4nm工藝。

不過三星沒有公布1.4nm工藝的具體細節,現在談晶體管密度、性能及功耗還是有點早,不過對三星來說,這是繼3nm搶先量產之后又一次彎道超車的機會,畢竟1.4nm量產是他們首個宣布的。

三星不是唯一一家要量產1.4nm工藝的,臺積電現在也是3nm建廠量產,2nm在2025年量產,今年年中也組建了團隊攻關1.4nm工藝,現在是TV0第一階段,主要是確定2nm技術規格。

此外,Intel會在2025年量產20A及18A兩代工藝,相當于友商的2nm及1.8nm,雖然不是1.4nm工藝,但三家廠商在2025前后兩年的競爭回很激烈。

量產1.4nm工藝還有個條件,那就是全面上馬ASML下一代的高NA EUV光刻機,NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.55,進一步提升光刻分辨率,預計在2026年開始正式上市,明年會出貨樣機給三大客戶。

 

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